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CuProtect工藝 - 美國專利8,945,343 B2-用施加的電壓解封裝。 引領行業(yè)的化學芯片開封系統(tǒng)----JetEtch Pro
美國 Nisene Technology Group 生產(chǎn)的 JetEtch 自動開封機，可采用雙酸刻蝕，并利用負壓噴霧技術進行刻蝕。根據(jù)不 同的器件封裝材料和尺寸，可設定不同的試驗條件，進行定位刻蝕。主要可設置的試驗參數(shù)包括：采用刻蝕酸的種 類、刻蝕酸的比例、蝕刻溫度、蝕刻時間、酸的流量(酸的用量)、清洗的時間等。同時采取漩渦噴酸的方式，可大 大降低用酸量，從而能夠比較精確地去除掉芯片表面的封裝材料，達到較好的開封效果。根據(jù)器件的不同封裝形式， 可選取不同封裝開口模具，可控制開口的位置和大小，目前配有的開口模具有多種，基本滿足目前的封裝需要，如 適用 DIP／SIP，PLCC，OFP，PBGA，芯片倒裝 BGA 和 S0 小外型封裝。 1. 檢查IC元件為何失效；
例子：
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詳細參數(shù)： 尺寸 主機(mm/英寸) 290 高 x 290 寬 x 419 深 / 11.5 高 x 11.5 寬 x 16.5 深 瓶柜(mm/英寸) 230 高 x 110 寬 x 110 深 / 9 高 x 4.25 寬 x 4.25 深 重量 (KG/磅) 17 / 38 (包含瓶柜和附件) 電源 350 W @ 95 - 130 VAC or 350 W @ 210 - 250 VAC 壓縮空氣/氮氣要求 壓縮空氣 4.2 kg/cm2 / 60 –100 psi 氮氣供應 2.8公升/分鐘 / 0.1 立方英尺/分鐘 |
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可用的蝕刻液 蝕刻液流量:脈沖模式1、2、5或1-10mL/min;渦流模式1-6mL/min 煙硝酸 煙硫酸 硫酸（濃縮試劑） 硝酸：硫酸混合比例：6:1, 5:1, 4:1, 3:1 |
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溫度范圍 硝酸 20 – 90(°C) 硫酸 20 – 250(°C) 混合酸 20 – 100(°C) 蝕刻時間和方式 (用戶可選) 1–1800秒可調(diào)，1秒的增量 脈沖蝕刻模式, 渦流蝕刻模式 程序容量: 100,用戶自定義 |
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升溫時間 (用戶可選) 0 – 120 秒可調(diào)，1秒的增量 清洗 硫酸、硝酸，無須清洗 儲液器 500mL或1升瓶 33/38/40/45mm蓋的尺寸 4個瓶子: 2個裝酸, 2個裝廢液 證書 CE證書, SEMI S-2-93, SEMI S-2-2000
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